Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   Зарегистрируйтесь на нашем сервере и Вы сможете писать комментарии к сообщениям Обратите внимание!
 
  Наука >> Фундаментальное материаловедение | Тезисы
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение

УДК 621.315.592:539.213:681.586

Влияние температуры подложки на концентрацию водорода и микроструктуру плёнок аморфного сплава кремний-углерод

Е.И. Артёмов

Московский государственный институт электронной техники

Аморфный сплав кремния с углеродом (a - SiC:H) является перспективным материалом микроэлектроники. Он применяется при изготовлении солнечных элементов, детекторов излучения, управляющих матриц тонкоплёночных полевых транзисторов для жидкокристаллических дисплеев. В настоящее время ведутся интенсивные исследования влияния различных методов осаждения на состав, структуру и электрофизические свойства аморфных плёнок.

В данной работе изучены процессы изменения конфигурации структурных элементов аморфного материала плёнок, впервые полученных разложением реакционной смеси газов (силана и метана) в низкочастотной (55 кГц) плазме тлеющего разряда и осаждённых на стеклянные подложки Corning 7059. Анализировались зависимости концентраций различных локальных групп атомов (или связей между ними) от температуры подложки. Концентрация Сn связи вычислялась из интегральной интенсивности соответствующего ей пика на спектре ИК - поглощения по формуле:

,

где An - соответствующий весовой коэффициент для данной полосы поглощения;

In - интегральная интенсивность (площадь под пиком) данной полосы поглощения;

a - коэффициент поглощения; n - волновое число.

Из полученных результатов видно, что с повышением температуры подложки интегральные интенсивности пиков, а, следовательно, и концентрации метильных групп снижаются. Одновременно с этим наблюдается относительный рост концентрации силановых комплексов вследствие протекания так называемого процесса "перезахвата", при этом общая концентрация водорода уменьшается в результате его термической эффузии с растущей поверхности. С увеличением температуры подложки концентрация связей Si-C возрастает.

Проведён сравнительный анализ полученных результатов с литературными данными и установлено влияние особенностей низкочастотного разряда на микроструктуру сплава.


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования