УДК 621.315.592

Фоточувствительность тонких пленок n-PbTe(Ga) в инфракрасной области

В.А. Богоявленский

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

В настоящей работе представлены результаты изучения фотоэлектрических свойств тонких эпитаксиальных пленок теллурида свинца, легированных галлием. Образцы были получены с использованием метода горячей стенки на подложках из фторида бария, ориентированных в кристаллографическом направлении <111>. Низкотемпературные измерения в диапазоне 4.2 - 300 К показали значительное увеличение фоточувствительности пленок при уменьшении их толщины до 0.2 - 0.3 мкм. Такие тонкие слои n-PbTe(Ga) характеризуются температурой появления фотопроводимости Т_С 150 К, т.е. на 30 - 40 К выше, чем для более толстых пленок (1 - 3 мкм), исследованных ранее [1]. Эксперименты по измерению температурной зависимости удельного сопротивления r (Т) проводились в условиях экранирования от источников света, а также при контролируемой подсветке различными инфракрасными излучателями с максимальной интенсивностью 10^-5 Вт/cм²: светодиодом на основе GaAs (l = 1 мкм) и тепловым источником (спектр черного тела). Параметр фоточувствительности, т.е. отношение сопротивления в темноте и при подсветке, достигает величин 10³ при температуре жидкого азота (Т = 77 К) и 10⁵ при Т = 50 К, что приблизительно на два порядка превосходит аналогичные характеристики толстых пленок [1]. Измерения импульсной кинетики фотопроводимости при температуре жидкого гелия (Т = 4.2 К) показали, что релаксационные кривые D s (t) могут быть описаны с помощью регулярной экспоненциальной зависимости D s (t) ~ exp(-t/i ), в которой характерные времена существования неравновесных носителей заряда составляют ~ 15 мкс.

• Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasilkov V.N., and Zimin S.P., Semicond. Sci. Technol. 14, 679 (1999)