УДК 539.216.2
А.А. Босак
Московский государственный
университет им. М.В.Ломоносова
Разработан новый подход к осаждению
тонких оксидных пленок, свободных от
каких-либо примесных фаз, основанный на
использовании летучего компонента. Сущность
процесса заключается в возможности
автоподстройки состава оксидной
пленки в ходе роста за счет испарения
избыточного PbO. На первом этапе метод
был успешно применен для осаждения
пленок La1-xPbxMnO3 (x=0.1-0.6)
на перовскитных подложках и MgO.
Пленки выращивались в условиях постоянного
давления летучего комплекса свинца
Pb(thd)2, в то время как питание реактора
остальными компонентами велось в импульсном
режиме при помощи ленточного (band-flash) испарителя.
Оптимизация условий эксперимента позволила
одновременно избежать потери PbO сложным оксидом
и его конденсации, чего также следует
избегать, поскольку наличие макроколичеств
жидкой фазы на поверхности растущей пленки
приводит к нарушениям эпитаксиального
роста, что наблюдалось в отдельных
экспериментах. Методами соответственно XRD и AFM
подтверждены высокие эпитаксиальное
совершенство и гладкость пленок (характерный
размер неровностей 1 нм на площади 25m m2 для
пленки La0.8Pb0.2MnO3 толщиной 500
нм).
Значительное сглаживание поверхности и
повышение качества эпитаксии были
объяснены формированием квазижидкого
поверхностного слоя на основе PbO, активирующего поверхностную диффузию в процессе
роста. Температура ферромагнитного
упорядочения полученных манганитных пленок
превышает 300К, соответственно, они являются
металлическими при комнатной температуре.
Настоящий подход может быть использован для
создания манганитных гетероструктур,
обладающих туннельным
магнетосопротивлением в слабых полях, причем
для осаждения как манганитов, так и
изолирующих слоев высокой гладкости типа PbTiO3.