Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   BOAI: наука должна быть открытой Обратите внимание!
 
  Наука >> Фундаментальное материаловедение | Тезисы
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение
Нанокристаллические гетероструктуры n-SnO2/p-Si: синтез и сенсорные свойства
11.10.2000 0:00 | интернет-журнал "Ломоносов"
    

УДК 546.814-31

Нанокристаллические гетероструктуры n-SnO2/p-Si: синтез и сенсорные свойства

Р.Б. Васильев

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Газовые сенсоры резистивного типа на основе нанокристаллического SnO2 широко используются для мониторинга окружающей среды. Улучшение чувствительности и селективности таких сенсоров обычно достигается путем легирования матрицы SnO2 примесями каталитической природы либо модификации микроструктуры. Другой возможностью является создание гетероконтакта материалов с разным типом проводимости. В этом случае электрофизические свойства системы будут определяться электрически заряженой гетерограницей. В настоящей работе были исследованы электрофизические и сенсорные свойства тонкопленочных гетероструктур n-SnO2/p- Si на основе нанокристаллического SnO2.

Структуры были синтезированы методом реактивного магнетронного распыления в кислородно-аргоновой плазме (содержание кислорода 10 об.%). В качестве подложки был использован монокристаллический Si <100> p-типа проводимости. Толщина слоя SnO2 составила 0.5-1 mm. Размер кристаллитов в слое SnO2, оцененный из уширений рефлексов рентгеновской дифракции, составил 10-12 нм.

Все исследованные структуры обладали выпрямляющей вольт-амперной характеристикой. Величина электрического барьера была расчитана из температурных зависимостей обратного тока.

Газочувствительные свойства структур по отношению к C2H5OH, NO2 и NH3 были исследованы при комнатной температуре. В присутствии газовых молекул наблюдалось значительное изменение проводимости и емкости структур, причем характер изменения зависел от типа газовой молекулы. Были исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур. Анализ данных зависимостей позволил предположить, что влияние газовой адсорбции на электрофизические свойства гетероструктур определяется двумя процессами: изменением высоты барьера на гетерогранице и туннелированием через поверхностные состояния на границе раздела.


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования