Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   Обратите внимание!
 
  Наука >> Фундаментальное материаловедение | Тезисы
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение
 См. также

ТезисыВлияние особенностей структуры кристаллического и аморфного кремния на солнечные батареи на их основе

ТезисыЭлектрофизические свойства гетероструктур a-SiGe:H/c-Si полученных в плазме тлеющего разряда на частоте 55 кГц

Оптические и электрофизические Характеристики сплавов a-SiGe:H для солнечных батарей, осажденных в низкочастотной плазме (55кГц) тлеющего разряда
11.10.2000 0:00 | интернет-журнал "Ломоносов"
    

УДК 621.315.592:539.213:681.586

Оптические и электрофизические характеристики сплавов a-SiGe:H для солнечных батарей, осажденных в низкочастотной плазме (55кГц) тлеющего разряда

Г.Л. Горбулин

Московский институт электронной техники

Сплавы на основе аморфного гидрогенизированного кремния широко используются для создания тандемных солнечных батарей. Сплавы германия и кремния позволяют расширить диапазон спектра поглощения в сторону ИК-области. В данной работе проводились исследования сплавов a-SiGe:H, впервые осажденных в низкочастотной плазме тлеющего разряда с различным содержанием германа в смеси Xg=[GeH4]/([GeH4]+[SiH4]) и различной температурой подложки Ts (от 175 до 275 0С). Изменение состава газовой смеси Xg от 0 до 0,28 происходило посредством увеличения расхода германа от 0 до 57 ст.см3 при постоянном расходе силана 150 ст.см3, а дальнейшее увеличение Xg до 0,44 обеспечивалось за счет уменьшения расхода силана от 150 до 71 ст.см3 при постоянном расходе германа.

Установлено, что с увеличением Xg оптическая ширина запрещенной зоны уменьшается от 1,77 до 1,25 эВ. Уменьшение Eg связано как со сдвигом спектра поглощения в сторону низких энергий, так и с увеличением его наклона, что свидетельствует об увеличении плотности состояний в запрещенной зоне. При этом фотопроводимость уменьшается с 3,3*10-6 до 1,06*10-8
(Ом*см)-1. Изменение темновой проводимости с увеличением Xg связано с изменением положения EF. При этом до Xg=0,09 темновая проводимость уменьшается с 1,3*10-9 до 7*1,1-10 (Ом*см)-1 и увеличивается до 1,03*10-8 (Ом*см)-1, при дальнейшем увеличении Xg до 0,44.

Для оптимизации фотоэлектрических характеристик a-SiGe:H исследовалось влияние температуры подложки на оптические и электрофизические свойства при Xg=0,17. Установлено, что с ростом температуры подложки Eg слабо зависит от Ts. При этом с увеличением Ts ширина хвоста валентной зоны уменьшается, а концентрация дефектов не изменяется. В результате, уровень Ферми сдвигается в сторону зоны проводимости и темновая проводимость возрастает. В результате проведенного моделирования определены энергетическое положение и природа рекомбинационных центров в a-SiGe:H.


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования