Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   Зарегистрируйтесь на нашем сервере и Вы сможете писать комментарии к сообщениям Обратите внимание!
 
  Наука >> Фундаментальное материаловедение | Тезисы
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение
Получение буферных слоев со структурой перовскита на основе нового твёрдого раствора Gd1-xCexAlO3 методом MOCVD
11.10.2000 0:00 | интернет-журнал "Ломоносов"
    

УДК 546.132.4+539.23+546.623'655'662

Получение буферных слоев со структурой перовскита на основе нового твёрдого раствора Gd1-xCexAlO3 методом MOCVD

М.В.Романов

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Монокристаллический LaAlO3 является одним из лучших материалов для эпитаксиального роста плёнок высокотемпературных сверхпроводников, сегнетоэлектриков и других перовскитоподобных материалов. Однако высококачественные подложки LaAlO3 чрезвычайно дороги, и для их замены предлагается использовать буферные слои толщиной 500-5000A на более дешёвых и доступных подложках Zr1-xYxO2(100), MgO(100), Al2O3(1-102). Возможность получения буферных слоёв с различными величинами параметров кристаллической структуры оказывается чрезвычайно полезной при эпитаксиальном выращивании разнородных материалов с отличающимися величинами параметров. Для решения этой задачи в данной работе проведено осаждение серии твёрдых растворов Gd1-xCexAlO3 в качестве тонкоплёночных буферных слоёв.

С целью определения границы не описанного в литературе твердого раствора было построено изотермическое сечение фазовой диаграммы трехкомпонентной системы Al2O3-CeO2- Gd2O3 при температуре 1500 С на воздухе, и проведена триангуляция. Найдено, что граница твердого раствора лежит в области концентраций x~ 0.15-0.20 Gd, причем по мере увеличения концентрации церия в твёрдом растворе ромбическое искажение перовскита уменьшается.

Осаждение плёнок проводили методом MOCVD в реакторе с горячими стенками с порошковым сбросовым источником паров прекурсоров при температуре 1000 С на монокристаллические подложки NdGaO3(100), YSZ(100), MgO(100) и R-Al2O3. По данным РФА и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, получены эпитаксиальные (100) - ориентированные слои Gd1-xCexAlO3 на NdGdO3, причем при избыточном содержании церия в плёнке реализуется своеобразное двухфазное эпитаксиальное состояние (избыток церия выделяется в виде колончатых образований, эпитаксиально врастающих в перовскитную матрицу Gd1-xCexAlO3).


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования