Rambler's Top100 Service
Поиск   
 
Обратите внимание!   Обратите внимание!
 
  Наука >> Фундаментальное материаловедение | Тезисы
 Написать комментарий  Добавить новое сообщение
Темплатный синтез мезопористого SiO2 и наноматериалов на его основе с использованием полисахаридов в качестве темплатов
11.10.2000 0:00 | интернет-журнал "Ломоносов"
    

УДК 546.284-07:547.458:001.4

Темплатный синтез мезопористого SiO2 и наноматериалов на его основе с использованием полисахаридов в качестве темплатов

Л.И. Соболева

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

В настоящее время мезопористый SiO2 и материалы на его основе представляют большой интерес для науки и промышленности как носители для катализаторов и матрицы для большого числа функциональных композитных материалов. В настоящее время основным методом получения мезопористого оксида кремния является темплатный синтез с использованием в качестве темплата поверхностно-активных веществ, образующих жидкокристаллические фазы, и тетраэтоксисилана в качестве источника кремния. В предыдущих работах автором была показана возможность синтеза мезопористого оксида кремния с использованием поливинилового спирта и силиката натрия, что позволило существенно снизить затраты на реагенты.

В настоящей работе была предпринята попытка синтеза мезопористого оксида кремния с использованием в качестве темплата d-глюкозы и ее производных (крахмала и гуммиарабика). Для сопоставления получаемых результатов в качестве источника кремния использовались как тетраэтоксисилан, так и силикат натрия. Поверхностные свойства и структура пор в синтезированных образцах были изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и метода капиллярной адсорбции азота при 77К.

Кроме этого, в работе рассмотрена возможность использования полученных образцов мезопористого оксида кремния в качестве матрицы для получения магнитных и полупроводниковых нанокомпозитов методом химической иммобилизации. Для получения магнитных нанокомпозитов M/SiO2 (M=Fe, Ni) использовался метод высокотемпературного восстановления SiO2, пропитанного солями железа и никеля, водородом при 400-800 оС. Для получения полупроводниковых нанокомпозитов MS/SiO2 (M=Cd, Pb) использовалось как прямое сульфидирование SiO2, модифицированнного солями кадмия и свинца, так и термическая модификация оксида кремния, пропитанного серосодержащими комплексами Cd и Pb (тиосульфатными и тиоционатными).


Написать комментарий
 Copyright © 2000-2015, РОО "Мир Науки и Культуры". ISSN 1684-9876 Rambler's Top100 Яндекс цитирования